SiC（碳化硅）功率器件
與傳統的硅器件相比，碳化硅（SiC）器件由于擁有低導通電阻特性以及出色的高溫、高頻和高壓性能，已經成為下一代低損耗半導體可行的候選器件。此外，SiC讓設計人員能夠減少元件的使用，從而進一步降低了設計的復雜程度。
SiC元器件的低導通電阻特性有助于顯著降低設備的能耗，從而有助于設計出能夠減少CO2排放量的環保型產品和系統。
羅姆在SiC功率元器件和模塊的開發領域處于先進地位，這些器件和模塊在許多行業的應用中都實現了更佳的節能效果。
EcoSiC?是采用了因性能優于硅（Si）而在功率元器件領域備受關注的碳化硅（SiC）的元器件品牌。從晶圓生產到制造工藝、封裝和品質管理方法，ROHM一直在自主開發SiC產品升級所必需的技術。另外，ROHM在制造過程中采用的是一貫制生產體系，目前已經確立了SiC領域先進企業的地位。
* EcoSiC?是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。
SiC功率器件 小冊子[新產品] 新型二合一 SiC封裝模塊"TRCDRIVE pack?"
TRCDRIVE pack?是牽引逆變器驅動用SiC封裝型模塊的專用商標，標有該商標的產品利用ROHM自有的結構，更大程度地擴大了散熱面積，從而實現了緊湊型封裝。另外，新產品還搭載了低導通電阻的第4代SiC MOSFET，實現了是普通SiC封裝型模塊1.5倍的業界超高功率密度，非常有助于xEV逆變器的小型化。
* TRCDRIVE pack?是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。
第4代SiC MOSFET
新推出的第4代SiC MOSFET，在改善短路耐受時間的前提下實現了業內超低導通電阻。另外，還具有低開關損耗和支持15V柵-源電壓等特點，有助于設備進一步節能。
SiC技術應用
通過使用羅姆的第4代SiC MOSFET，與傳統產品相比，導通電阻可降低約40%，開關損耗可降低約50%。有助于提高電動汽車、數據中心、基站和智能電網等高電壓和大容量發展的應用的便利性和電力轉換效率。本應用筆記介紹了產生以上優點的機制。
陣容
SiC相關產品
ROHM致力于開發非常適合驅動SiC元器件的柵極驅動器IC，與SiC元器件結合使用時，可以更大程度地發揮出其特性。此外，羅姆還在開發內置SiC產品的IC，例如內置SiC MOSFET的AC/DC轉換器控制IC。
